PNP常開(kāi)電容式接近開(kāi)關(guān)GH2-353QD詳細(xì)介紹
卓信PNP常開(kāi)電容式接近開(kāi)關(guān)GH2-353QD
產(chǎn)品說(shuō)明
這種開(kāi)關(guān)的測(cè)量通常是構(gòu)成電容器的一個(gè)板，而另一個(gè)板是開(kāi)關(guān)的外殼。這個(gè)外殼在測(cè)量過(guò)程中通常是接地或與設(shè)備的機(jī)殼相連接。當(dāng)有物體移向接近開(kāi)關(guān)時(shí)，不論它是否為導(dǎo)體，由于它的接近，總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化，從而使電容量發(fā)生變化，使得和測(cè)量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化，由此便可控制開(kāi)關(guān)的接通或斷開(kāi)。這種接近開(kāi)關(guān)檢測(cè)的對(duì)象，不限于導(dǎo)體，可以絕緣的液體或粉狀物等。
開(kāi)關(guān)功能
電容式傳感器的感應(yīng)面同兩個(gè)同心布置的金屬電組成，這兩個(gè)電相當(dāng)于一個(gè)非線(xiàn)繞電容器的電。電的表面a和b連接到一個(gè)高頻振蕩器的反饋支路中，對(duì)該振蕩器的調(diào)節(jié)要使得它在表面自由時(shí)不發(fā)生振蕩。
當(dāng)物體接近傳感器的有效表面時(shí)，它進(jìn)入了電表面前面的電場(chǎng)，并引起耦合電容發(fā)生改變。振蕩器開(kāi)始發(fā)生振蕩，振蕩幅度由一個(gè)評(píng)價(jià)電路記錄下來(lái)并被轉(zhuǎn)換為一個(gè)開(kāi)關(guān)命令。
電容式接近開(kāi)關(guān)亦屬于一種具有開(kāi)關(guān)量輸出的位置傳感器，它的測(cè)量頭通常是構(gòu)成電容器的一個(gè)板，而另一個(gè)板是物體的本身，當(dāng)物體移向接近開(kāi)關(guān)時(shí)，物體和接近開(kāi)關(guān)的介電常數(shù)發(fā)生變化，使得和測(cè)量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化，由此便可控制開(kāi)關(guān)的接通和關(guān)斷。電容式接近開(kāi)關(guān)對(duì)任何介質(zhì)都可以檢測(cè)，包括導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體，甚可以用于檢測(cè)液體和粉末狀物料。對(duì)于非金屬物體，動(dòng)作距離決定于材質(zhì)的介電常數(shù)，材料的介電常數(shù)越大，可獲得的動(dòng)作距離越大。
結(jié)構(gòu)
電容式接近開(kāi)關(guān)由三大部分組成：振蕩器、開(kāi)關(guān)電路及放大輸出電路。振蕩器產(chǎn)生一個(gè)交變磁場(chǎng)。當(dāng)金屬目標(biāo)接近這一磁場(chǎng)，并達(dá)到感應(yīng)距離時(shí)，在金屬目標(biāo)內(nèi)產(chǎn)生渦流，從而導(dǎo)致振蕩衰減，以停振。振蕩器振蕩及停振的變化被后放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開(kāi)關(guān)信號(hào)，觸發(fā)驅(qū)動(dòng)控制器件，從而達(dá)到非接觸式之檢測(cè)目的。
卓信PNP常開(kāi)電容式接近開(kāi)關(guān)GH2-353QD
一般接近開(kāi)關(guān)有兩種安裝方式：
齊平安裝和非齊平安裝；齊平安裝：接近開(kāi)關(guān)頭部可以和金屬安裝支架相平安裝；非齊平安裝：接近開(kāi)關(guān)頭部不能和金屬安裝支架相平安裝一般，可以齊平安裝的接近開(kāi)關(guān)也可以非齊平安裝，但非齊平安裝的接近開(kāi)關(guān)不能齊平安裝。這是因?yàn)?，可以齊平安裝的接近開(kāi)關(guān)頭部帶有屏蔽，齊平安裝時(shí)，其檢測(cè)不到金屬安裝支架，而非齊平安裝的接近開(kāi)關(guān)不帶。